集体经济薄弱村建设新民居的成功实践

集体经济薄弱村建设新民居的成功实践

集体经济薄弱村建设新民居的成功实践

魏县魏城镇王营村建设新民居的做法与思考

魏县魏城镇党委书记林双廷

与法同行网5月6日讯：记者任科河北省魏县魏城镇面貌三年大变样是改善城镇环境，提升城市功能的重大举措，全省城镇面貌三年大变样工作开展一年来，取得了卓越成效。顺应城镇面貌三年大变样，全省广大农村也多种举措改善农村面貌，扎实开展新民居建设，实现农村更快更好发展。在新民居建设过程中，由于地区差异、贫富不同等使各地新民居建设面临着不同困难，集体经济富裕地区建设新民居有其得天独厚的资金基础，易于实现，而集体经济薄弱的贫困地区是否就不能搞新民居建设了呢？魏县魏城镇王营村在一无村集体经济，二无银行贷款，三无上级扶持的情况下,给予了肯定的回答，新民居建设工作扎实推进，已初具规模，被市、县确定为示范性新民居建设重点村。

魏城镇党委书记林双廷陪同市县领导视察新民居建设（前排右一林双廷）

王营村位于魏县县城西7公里，邯大路南1公里处，东临大牙线。全村共有人口2480人，638户，耕地2983亩，201*年全村人均纯收入2989元，老村共有宅基756片，占地950亩。由于历史原因，原村庄道路弯曲难走，没有一条像样的大街，且排水不畅，遇到下雨天，街道泥泞难行。村内废弃宅基较多，乱占耕地现象严重，形成了严重的“空心村”。201*年底，按照县委、县政府领导的指示，镇党委、政府决定在该村搞新民居建设试点，村“两委”结合村情，带领村党员群众积极谋划新民居建设。该村新民居建设从201*年4月份开始动工，总体规划三年内完成。在前期建设过程中，以完善新村基础设施建设为切入点，重点实施了道路硬化，排供水管道铺设、文化广场、过街牌坊、学校、新民居建设及村庄绿化等工作，新村总体框架已形成。新民居建设开展一年来，该村已硬化街道、胡同5500米，铺设排供水管道8300米，架设高压线700米，安装太阳能52个，栽植树木3500株，新村部分街道胡同已绿化，建成占地30亩标准化小学一所，第一批94个农户新房已经建成，部分已搬迁入住，201*年规划建设的150户新民居，目前正在紧张的施工当中。

一、一个好班子，是新民居建设的最坚实基础

新民居建设离不开一个坚强的农村班子。魏城镇党委、政府把建强王营村“两委”班子作为推进该村新民居建设的首要工作。一是完善机制增活力。在全镇积极推行以“两下访，一深入，三帮助”为主要内容的“213”工作法，镇党政主要领导包村，开展下访活动，解决农村问题。县委书记齐景海，政府副县长张顺桥，魏城镇党委书记林双廷分包王营村，去年以来，到该村开展下访活动百余次，帮助解决新民居建设中的实际困难36件。大力推行“两联一会”聚力机制，即：支委联系党员，党员联系群众，召开党员大会解决重大问题。王营村5名支部联系全村74名党员，74名党员联系570户群众，结成长期帮扶对子，积极为所联系群众解难题、办实事，帮助群众建设新民居；二是实行民主聚合力。新民居建设群众是主体，民主是根本。王营村新民居建设工作开展以来，从新民居开始谋划到每项工程实施，该村都通过召开“两委”干部会、党员大会、群众大会的形式，广泛征求党员群众的意见和建议，集民智、聚民意、真民主，形成了新民居建设工作的强大合力；三是严明村规抓管理。配合新民居建设，该村制定了《新民居宅基发放、建房若干规定》，对在新村建房的申请条件、宅基分配、老宅基复耕等以村规民约的形式，固定下来，严格规定办事，有效推进了新村建设工作的扎实开展。村“两委”班子带头执行有关规定，自觉投身新民居建设，无论酷暑严冬，白天黑夜，全都奋战在建设一线，村“两委”干部在新民居建设中筑起了一座坚强的战斗堡垒。

二、一个好规划，使群众看到美好的未来就在眼前

河北省魏县魏城镇王营村新民居

新民居建设，规划须先行。为确保规划的科学合理，该村聘请河北信达城乡规划设计院对该村新民居建设进行规划设计，制作了《邯郸市魏县王营村村庄规划》和“七图一书”，规划了三纵三横街道框架，新农村东西长630米，南北长312米，总用地面积245亩，每户宅基0.3亩，建房需用地190亩，加上道路广场、村民中心、学校等公共事业占地55亩，与原村庄相比可有效节约土地700多亩。在规划设计上，突出了梨乡特色，在村文化广场建设中，依托新村内梨园，建设文化广场，使广场建设别具一格，彰显特色。该村将村庄规划分别设计制作出效果图，让群众更加直观地了解新村，憧憬未来，以增信心、聚民心、下决心。

三、六笔细账，算出群众建设新民居的激情

河北省魏县魏城镇王营村新民居建设场面

面对“浩大”工程，群众难免心存顾虑，如何打消部分群众中存在的畏难、怀疑情绪，村“两委”充分算好六笔细账，激发群众的建设缴清。一是新旧投资年限账。由于老村群众建房攀比严重，农村房屋平均“寿命”只有15年左右，而新村新民居由于统一模式，使用“寿命”至少80年，可以说，农户一次投资一生受益；二是重复建设浪费账。农村房子重复建设严重，往往是拆了建，建了拆，花费人力、物力和财力，造成极大浪费；三是一个标高节省账。新民居建设统一模式，统一标高，共用山墙，制止了村民建房攀比增高现象，节省了大量开支；四是物料进场节约账。老村道路弯曲，车辆进出困难，盖房物料到不了家，物料倒运浪费人力、物力和财力，新村不存在这种现象；五是腾出土地增收账。对新村建设节约下来的土地，可以通过复耕，发展种、养、加工业，增加农民收入；六是舒适宜居长远账。新民居规划科学，新村超市、学校、幼儿园、文化广场、村民中心设施齐备，舒适宜居，方便现代。六笔细账赢得了群众的大力支持，调动了他们在新村建设新民居的积极性，群众纷纷拿出几十年的积蓄，有的向亲朋借钱，有的拼命挣钱，把建设新民居作为一家人的头等大事，想法设法抓经济，千方百计促增收，一心一意搞建设，在全村形成了齐心协力建新村的良好态势。

四、六个统一，为群众建设新民居搞好服务

新民居建设涉及农村的方方面面，如何保证群众在新村建房而不在老村建房，如何实现新村新民居建设整齐划一。王营村在建设过程中，严格实施六个统一，撬动新村建设：一是统一造册登记老宅基。对原村庄宅基实行统一造册登记，实行搬迁一户，复耕一户，原宅基土地仍为原户主所有、使用，消除了村民老宅基归公的疑虑；二是统一锁定老村建设。严禁村民在老宅基上建房，防止老村建房反弹；三是统一制定建设规划。聘请专门设计院，对新村进行了科学设计，实现全村一个规划，使新农村、新民居建设更具科学性；四是统一招标施工建设。五是统一购买物料。压低价格，减少开支，节省时间；六是统一配套公共设施。新村内道路、村民服务中心、学校、幼儿园、文化广场等公共设施实行统一配套，高标准建设。在新民居建设上实行五户一组，共用山墙，统一大小，每份南北长17米，东西宽12米，每份筹资6000元，用于新村公共设施建设，有效解决了新村公共设施建设资金难题。

五、六大效益，让群众真正体验到新民居建设的优越性

随着王营村新民居建设的不断推进和群众的陆续入住，新民居六大效益已经凸现：一是改善了村民生活环境。新村在交通、供排水、供电、取暖、医疗、卫生、文化和休闲娱乐等方面得到完善，彻底改变现有村庄的脏、乱、差形象，极大地改善农村生活环境和人居环境；二是有效节约了土地。随着村民的逐步搬迁，村里将节约出来的700多亩土地，进行统一丈量，登记在册，统一复耕。村民原来的庄基多大面积，复耕后仍然享有多大面积的使用权；三是制止了乱占耕地现象。由于村内人居环境较差，人们在村外的耕地上乱建民房现象屡禁不止，造成村内大量的放弃宅基地，形成了“空心村”。新村选址后，老村一律停建任何住宅，有效地保护了耕地；四是避免了住宅房屡建屡拆的浪费现象。新村实行统一住房模式，统一规划建设，统一管理，可有效预防村民建房的恶性攀比，避免人、财、物的浪费，达到一次建房，长期使用的目的，彻底摆脱村民一生忙于拆房建房的怪圈；五是增加了农民经济收入。复耕后村里要统一规划工业区、养殖区和种植区，以便科学使用土地，实现人均增收300多元，有效增加了农民收入；六是丰富了农民文化生活。新村规划建设了高标准村民服务中心、文化广场、农村文化站等，齐全的文体实施，可以极大地丰富群众业余文化生活，推进王营村精神文明建设工作开展。

王营村新民居建设的成功实践和取得的效果，引起了上级领导和社会各届的广泛关注，市委书记崔江水，市人大常委会主任史增海，市委常委、市委秘书长王社群，市委常委、农工委书记魏吉平，市委常委、副市长冯连生，市政府副市长赵险峰等领导多次到该村视察，新疆、内蒙、唐山、邢台以及本市周边县多次组团到该村参观，群众建设新民居的积极性空前高涨。魏县梨花节期间，该村群众自发在村牌坊上打出“赏梨花万顷素洁惹人醉，看民居百姓生活步步高”条幅，群众以自编自演快板、扭秧歌等形式，盛赞全省三年大变样和新民居建设。

思考：魏县魏城镇王营村作为东部平原贫困地区普通农村，在一无集体经济，二无银行贷款，三无上级扶持的情况下，在较短时间内，新民居建设如火如荼，且初见成效，充分说明，省委、省政府决策的正确英明，新农村建设不仅只是在富裕地区才能搞，更重要的是如何建立一种模式，形成一套机制，健全一种方法。王营村新民居建设的成功之处，主要得益于在班子队伍建设、规划设计运作、群众激情迸发、挖掘社会资金、制度机制建立等方面探索了一条符合农村实际的新路子、新理念，开辟了一条平原贫困地区建设新农村的成功之路。

扩展阅读：路如图7-38 所示

习题6-1二极管ROM电路如题图6-1所示。已知A1A0取值为00、01、10、11时，地址译码器输出W0～W3分别出现高电平。根据电路结构，说明内存单元0～3中的内容是什么？●表示如虚框连接。

题图6-1

习题6-2NMOSROM电路如题图6-2所示。已知地址译码器译中的通道输出Wi为高电平。根据电路结构，说明内存单元0～7中的内容。

VDDA2A1A0

RRRRA1A0地址译码器W0W1W2W3

D3D2D1D0W0W1W

2

地址译码器WW43W5W6W7

D7D6D5D4D3D2D1D0

题图6-2

习题6-3NMOSROM实现的组合逻辑电路如题图6-3所示。已知地址译码器译中的通道输出为高电平。分析电路功能，写出逻辑函数F1、F2的表达式。

ABC地址译码器1111W0W1W2W3W4W5W6W7

题图6-3习题6-4PROM实现的组合逻辑电路如题图6-4所示。

X1Y1Z1F1F2

题图6-4

(1)分析电路功能，说明当XYZ为何种取值时，函数F1=1，函数F2=1。

1

F1F2F3F(2)XYZ为何种取值时，函数F1=0，函数F2=0。

习题6-5已知逻辑函数F1～F4为

F1(A,B,C,D)ABDBDABC

F2(A,B,C,D)ABCABCABCACDCDF3(A,B,C,D)ACDACDABDBD

F4(A,B,C,D)ABCABCBCDBCD试用PROM实现之，画出相应电路。

习题6-6已知逻辑函数F1～F3为

F1(A,B,C,D,E)ABDBEABEAEF2(A,B,C,D,E)ABABCDBDEBDE

F3(A,B,C,D,E)m(1,3,4,6,8,11,13,14,16,18,21,23,25,26,31)

试用PROM实现之，画出相应的电路。

习题6-774LS161和PROM组成的电路如题图6-7所示。

(1)分析74LS161功能，说明电路的计数长度M为多少。(2)写出W、X、Y、Z的函数表达式。

(3)在CP作用下，分析WXYZ端顺序输出的8421BCD码的状态，说明电路的功能。

CP

题图6-7

习题6-8可编程逻辑阵列(PLA)实现的组合逻辑电路如题图6-8所示。

(1)分析电路功能，说明当ABC为何种取值时，函数F1=1，函数F2=1。(2)若电路改为PROM实现，内存单元的容量有何不同，各应为多少？

2

11111LDQ3Q2Q1Q0RD74LS161DCBACTTCTPW

XYZ

图6-8

习题6-9可编程逻辑阵列(PLA)实现的码制变换电路如题图6-9所示。

(1)写出F1～F4的函数表达式。

(2)分析输入、输出的逻辑关系，说明电路是何种码制变换电路。(3)电路矩阵的容量为多少？若改用PROM实现此电路功能，则矩阵的容量应为多少？

D1C1B1A1A

1B1C

1F1F2

Y1Y2Y3

Y4

题图6-9

习题6-10可编程逻辑阵列(PLA)实现的显示译码电路如题图6-10所示。

(1)根据PLA结构写出函数abc…g的表达式。

(2)分析电路功能，说明当输入变量DCBA从0000变化到1111时，abcdefg后接的七

段LED数码管显示的相应字形。

题图6-10

习题6-11试用可编程逻辑阵列(PLA)实现下列函数；

F1(A,B,C)

D1C1B1A1abcdefg

cafgbed

m(0,1,2,4)F2(A,B,C)画出相应的电路。

m(0,2,5,6,7)

习题6-12试用可编程逻辑阵列(PLA)实现下列函数：F1(A,B,C,D)F2(A,B,C,D)F3(A,B,C,D)画出相应的电路。

习题6-13可编程逻辑阵列(PLA)和D-FF组成的同步时序电路如题图6-13所示。

(1)根据PLA结构，写出电路的驱动方程和输出方程。(2)分析电路功能，画出电路的状态转换图。

DQ1DQ0m(0,1,26,,38,,9,120,,114)m(0,1,24,,35,,8,9,,1153)m(,2,3,4,5,10,11,13,15)

DQ2OCCP

题图6-13

习题6-14可编程逻辑阵列(PLA)和D-FF组成的同步时序电路如题图6-14所示。分析电路功能，画出电路的状态转换图，说明电路能否自启动。

CP

题图6-14

4

Z1XDQ0DQ习题6-15试用可编程逻辑阵列(PLA)和JK-FF设计一同步时序电路，电路的状态转换图如题图6-15所示。图中X、Y为输入，Z为输出。

(1)写出电路的输出方程和驱动方程。(2)画出用PLA和JK-FF实现的电路图。00/000/0

10/110/00001/10101/010/001/010/000/0101101/000/0题图6-15习题6-16RAM2112(256×4)组成题图6-16所示电路。

(1)按图示接法，内存单元的容量是多少？若要实现2k×8的内存，需要多少片2112芯片？

(2)按图示接法，写出2112-1至2112-4的地址范围(用十六进制表示)。(3)若要RAM将的寻址范围改为B00H～BFFH和C00H～CFFH，电路应作何改动？

D7D0A7A0R/WS3Y0S2ENY1S1&A2A1A0Y7Y674LS1388D74D4I/OA71～48A02112-1R/WCED34D0I/O～A7148A02112-2R/WCED74D4I/OA71～48A02112-3R/WCED34D0I/O～A7148A02112-4R/WCEA11A10A9A8

题图6-15

习题6-17RAM2114(1k×4)组成题图6-17所示电路。

(1)确定图示电路内存单元的容量是多少？若要实现2k×8的内存，需要多少片2112芯片？

(2)写出2114-1至2114-3的地址范围(用十六进制表示)。

A15A14A13A12A11A10D3D0A9A0R/WS3Y0S2ENY1S1&A2A1A0Y774LS138

Y4Y75

4D34D0AI/O1～4910A02114-1R/WCED34D0I/OA91～410A02114-2R/WCE10D34D0AI/O1～4A02114-3R/WCE

题图6-17

习题6-18RAM6116(2k×8)组成题图6-18所示电路。(1)确定RAM容量和地址。

(2)若将要RAM的地址改为C000～FFFFH，电路的接法应作何改动？

A15A14A13A12A11D7D0A10A0WERDS3Y0S2S1&ENA2A1A0Y774LS138

Y08D78D0AI/O1～81011A06116-1WEOECED78D0I/OA101～811A06116-2WEOECEY111D78D0I/OA101～8A06116-8WEOECEY7

题图6-18

习题6-19试确定题图6-19所示各电路中RAM芯片的寻址范围。

A9Y0A8Y3

ACS7A7A0A0

2-4线译码器A151A14A13A12A11A1074138S3Y7S2S1&ENA2A1A0CSA7A02112-2

(a)(b)

(c)

A15A14A13A12A112112-1Y0接2114-1，接2114-3，2CS端

4CS端

74138S3Y7S2S1&ENA2A1A0Y0接6116-1CS端

接6116-2CS端

题图6-19

习题6-20试用RAM6116(2k×8)芯片和74LS138芯片实现内存容量为8k×8，寻址范围为8000～87FFH，9800～9FFFH，C000～C7FFH，D800～DFFFH的电路。画出相应的电路图。

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